InGaAs光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪聲、寬光譜相應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
InGaAs光電二極管陣列有兩種類型：InGaAs線陣光電二極管陣列、InGaAs分段型光電二極管陣列。
InGaAs APDs在高速近紅外低光探測中具有高靈敏度。
低成本傳感器，產生與入射紅外光能量成比例的熱電動勢。
高速，低噪聲紅外探測器，能夠探測高達約3.5μm的紅外光。
熱電冷卻InSb光電導檢測器，能夠檢測高達約6μm的紅外光，具有高靈敏度和高速度。
InAsSb光伏探測器可在5μm，8μm和11μm范圍內提供高靈敏度。
高速，低噪聲紅外探測器，在3 - 5μm的大氣環境中具有高靈敏度。在5μm的波段，具有高峰值靈敏度和高響應速度。
具有一個傳感器的檢測器沿著相同的光軸安裝在第二傳感器上，以提供寬光譜響應范圍。
光牽引探測器靈敏度為10.6μm，非常適合CO2激光探測。
緊湊型探測器模塊內含紅外探測器和前置放大器。熱電和液氮冷卻可用于要求低噪音的應用。
主要用于近紅外探測。
附件包括：放大器、溫度控制器、加熱槽。
利用濱松獨有的晶體生長技術和加工技術，Ⅱ類超晶格紅外探測器的靈敏度可擴展至14μm。
資料索取
價格咨詢
產品貨期
產品定制
演示申請
樣品申請
技術支持
其他
聯系我們
通過電話查詢